「半導(dǎo)體專(zhuān)題講座」芯片測(cè)試（Test）

半導(dǎo)體測(cè)試工藝FLOW

為驗(yàn)證每道工序是否正確執(zhí)行半導(dǎo)體將在室溫（25攝氏度）下進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試主要包括Wafer Test、封裝測(cè)試、 模組測(cè)試。

Burn-in/Temp Cycling是一種在高溫和低溫條件下進(jìn)行的可靠性測(cè)試，初只在封裝測(cè)試階段進(jìn)行，但隨著晶圓測(cè)試階段的重要性不斷提高，許多封裝Burn-in項(xiàng)目都轉(zhuǎn)移到WBI（Wafer Burn-in）中。此外，將測(cè)試與Burn-in結(jié)合起來(lái)的TDBI（Test During Burn-in）概念下進(jìn)行Burn-in測(cè)試，正式測(cè)試在Burn-in前后進(jìn)行的復(fù)合型測(cè)試也有大量應(yīng)用的趨勢(shì)。這將節(jié)省時(shí)間和成本。模組測(cè)試（Module Test）為了檢測(cè)PCB（Printed Circuit Board)和芯片之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，在常溫下進(jìn)行直流（DC/ Direct Current）直接電流/電壓）/功能（Function）測(cè)試后，代替Burn-in，在模擬客戶(hù)實(shí)際使用環(huán)境對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，市面上導(dǎo)電膠分多種，而其中專(zhuān)業(yè)內(nèi)存存儲(chǔ)測(cè)試這塊的，就是導(dǎo)電膠測(cè)試墊片。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道 (6)薄膜沉積工藝

大家好！半導(dǎo)體工序中的第六道工序，即薄膜沉積工藝（Thin film deposition）時(shí)間。完成蝕刻（Etching）工藝的晶片現(xiàn)在穿上了薄膜的衣服；薄膜是指1微米以下的薄膜。當(dāng)你把這些薄膜涂在晶片上時(shí)，它就會(huì)產(chǎn)生電學(xué)特性。一起了解更多詳細(xì)內(nèi)容吧？！

1. 薄膜覆蓋

如上所述，薄膜指的是真正的薄膜。如果你想到如何覆蓋比晶片更薄的膜，沉積工藝真的很令人困惑。在半徑為100mm的晶片上覆蓋1μm薄膜，就像是要在半徑為100m的土地上精細(xì)地涂上比膠帶厚度還薄的膜，你是不是真的很迷茫？因此，這些薄膜工藝需要非常精確和細(xì)致的工作。就像所有的半導(dǎo)體工藝一樣。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)為了測(cè)試封裝的半導(dǎo)體芯片，我們把芯片和電氣連接在一起的介質(zhì)稱(chēng)為測(cè)試座。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道 (6)薄膜沉積工藝

2. PVD和CVD首先制作薄膜的方法主要分為兩類(lèi)：物相沉積PVD(Physical Vapor Deposition)和化學(xué)汽相淀積CVD(Chemical Vapor Deposition)。兩種方法的區(qū)別在于“物理沉積還是化學(xué)沉積”。物相沉積（PVD）又大致分為熱蒸發(fā)法（Thermal evaporation）、電子束蒸發(fā)法（E-beam evaporation）和濺射法（Sputtering）。這么一說(shuō)是不是已經(jīng)迷茫了？

之所以有這么多方法，是因?yàn)槊糠N方法使用的材料不同，優(yōu)缺點(diǎn)也不盡相同。

首先物相沉積（PVD）主要用于金屬薄膜沉積，特點(diǎn)是不涉及化學(xué)反應(yīng)；用物理方法沉積薄膜。讓我們來(lái)看看其中的一個(gè)：反應(yīng)濺射（Sputtering）。

濺射法（Sputtering）是一種用氬(Ar)氣沉積的方式。首先真空室中存在Ar氣體和自由電子，如果你給氬（Ar）氣體施加一個(gè)高電壓它就會(huì)變成離子。我們?cè)谖覀冃枰练e的基板上施加（+）電壓，在我們想要沉積的材料的目標(biāo)層上施加（-）電壓。自由電子和氬（Ar）氣體之間的碰撞導(dǎo)致離子化的會(huì)碰撞到（-）Target層，然后Target材料分離并沉積到基板(Substrate)上。然后氬（Ar）和自由電子不斷發(fā)生碰撞沉積繼續(xù)進(jìn)行。

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2.半導(dǎo)體測(cè)試（工藝方面）：WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包裝測(cè)試(Package Test)也包括可靠性測(cè)試，但它被稱(chēng)為終測(cè)試是因?yàn)樗窃诋a(chǎn)品出廠(chǎng)前對(duì)電氣特性進(jìn)行的終測(cè)試（Final Test)。包裝測(cè)試是重要的測(cè)試過(guò)程，包括所有測(cè)試項(xiàng)目。首先在DC/AC測(cè)試和功能（Function）測(cè)試中判定良品（Go）/次品（No-Go）后，在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting（ex.DRAM)模組測(cè)試（Module Test）是指在PCB上安裝8-16個(gè)芯片后進(jìn)行的，因此也稱(chēng)為上板測(cè)試（Board Test）。Module Test在DC/Function測(cè)試后進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，以確?？蛻?hù)能夠在實(shí)際產(chǎn)品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個(gè)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片，就可以換成良品芯片重新組成模塊。致力國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)提供及時(shí)，優(yōu)良，完善的測(cè)試平臺(tái)，能夠?yàn)槠髽I(yè)創(chuàng)造更多商業(yè)契機(jī)。

存儲(chǔ)芯片測(cè)試儀P20MT6757DRAMP90MT6779G90MT6785……

革恩半導(dǎo)體有限公司有著多年同海外企業(yè)合作與交流共同業(yè)研發(fā)多個(gè)存儲(chǔ)芯片測(cè)試平臺(tái)，積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)服務(wù)與海外多家存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(chǎng)家，研發(fā)存儲(chǔ)芯片方案。

現(xiàn)目前已開(kāi)發(fā)的平臺(tái)有聯(lián)發(fā)科的P20MT6757/P90MT6779/G90MT6785/20MMT6873/21M+MT6877，如有其它需求我們也可以提供定制化服務(wù)。希望致力于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)提供及時(shí)，優(yōu)良，完善的測(cè)試平臺(tái)，能夠?yàn)槠髽I(yè)創(chuàng)造更多商業(yè)契機(jī)。DDR3是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線(xiàn)。蘇州78FBGA-0.8P導(dǎo)電膠

專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)芯片,可獲客客戶(hù)需求,能力強(qiáng),壓力變送器,線(xiàn)性模組,專(zhuān)業(yè)垂直開(kāi)發(fā), 內(nèi)存測(cè)試導(dǎo)電膠。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體？這點(diǎn)應(yīng)該知道：（8）Wafer測(cè)試&打包工程

晶圓測(cè)試工藝的四個(gè)步驟

3)維修和終測(cè)試（Repair&FinalTest）

因?yàn)槟承┎涣夹酒强梢孕迯?fù)的，只需替換掉其中存在問(wèn)題的元件即可，維修結(jié)束后通過(guò)終測(cè)試（FinalTest）驗(yàn)證維修是否到位，終判斷是良品還是次品。

4)點(diǎn)墨（Inking）

顧名思義就是“點(diǎn)墨工序”。就是在劣質(zhì)芯片上點(diǎn)特殊墨水，讓肉眼就能識(shí)別出劣質(zhì)芯片的過(guò)程，過(guò)去點(diǎn)的是實(shí)際墨水，現(xiàn)在不再點(diǎn)實(shí)際墨水，而是做數(shù)據(jù)管理讓不合格的芯片不進(jìn)行組裝，所以在時(shí)間和經(jīng)濟(jì)方面都有積極效果，完成Inking工序后，晶片經(jīng)過(guò)質(zhì)量檢查后，將移至組裝工序。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道桃源社區(qū)臣田航城工業(yè)區(qū)A1棟305南邊，是一家專(zhuān)業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開(kāi)發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開(kāi)發(fā)完成及開(kāi)發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司。GN是深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司的主營(yíng)品牌，是專(zhuān)業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開(kāi)發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開(kāi)發(fā)完成及開(kāi)發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司，擁有自己的技術(shù)體系。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價(jià)值，希望通過(guò)我們的專(zhuān)業(yè)水平和不懈努力，將革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開(kāi)發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開(kāi)發(fā)完成及開(kāi)發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片，DDR測(cè)試、LPDDR測(cè)，內(nèi)存測(cè)試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿(mǎn)意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶(hù)的支持和信賴(lài)。

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